Pro 2D systém implementovaný v SIMOLANTu stanovte aktivační energii posunu krystalových vrstev.

Základní metodologie simulací viz http://old.vscht.cz/fch/cz/pomucky/kolafa/pchem03.pdf

1) Příprava konfigurace
- 300–600 částic (N)
- Slider "simulation speed" na maximum
- Menu [Prepare system] → Hexagonal crystal
- Teplotu na minimum
- Pomocí slideru "g" opatrně uložte krystal na spodní okraj boxu tak, aby se  nerozbil ani nezměnil tvar. Můžete se pomoci např. Langevinovým termostatem.
- Uložte si tuto konfoguraci pomocí menu [File] → Save configuration as...

2) Nahrajte [File] → Load configuration as... a proveďte "drcení" za definovaných podmínek:
- Nastavte zvolenou teplotu
- Zvyšujte pomalu (ale ve všech pseudoexperimentech přibližně stejně rychle) gravitaci, až proběhne první dislokace (posun vrstev) a změní se tvar krystalu. Zapište si hodnotu gravitace, g(max).

3) Opakujte bod 2) několikrát pro jednu teplotu a spočtěte průměr a odhad nejistoty.

4) Opakujte bod 3 pro několik teplot.

5) Vyneste graf logaritmu střední hodnoty g(max) na inverzní teplotě a stanovte pomocí Arrheniova zákona aktivační energii posunu vrstev. Pokud zkusíte pro několik velikostí krystalu, rozhodněte, zda výsledek závisí na počtu vrstev.