Optimalizace ohmických kontaktů pro Schottkyho diody
Autor: Martin Žilka
Ročník: 5.
Ústav: Inženýrství pevných látek
Školitel: Doc. Ing. Petr Macháč, CSc.
Schottkyho diody jsou významné prvky GaAs integrovaných obvodů. Pro svou funkci potřebují dobrý ohmický kontakt, protože velikost kontaktního odporu ovlivňuje mezní frekvenci těchto součástek. V rámci práce byl zkoumán metalický systém Au/Ti/Ge/Pd určený pro tyto kontakty. Bylo testováno 11 struktur na GaAs deskách typu n a posléze i na epitaxních vrstvách n-GaAs. Kontaktní metalizace byly deponovány v aparatuře UNIVEX 450 metodou vysokovakuového napařování. Slévání kontaktních struktur bylo prováděno rychlým teplotním žíháním (metoda RTA). Měrné kontaktní odpory byly měřeny u struktur na GaAs substrátech čtyřbodovou metodou a u struktur na epitaxních vrstvách metodou TLM. Nejlepších výsledků bylo dosaženo na strukturách Au(40 nm)/Ti(50 nm)/Ge(40 nm)/Pd(20 nm) žíhané při teplotě 544°C a Au(40 nm)/Ti(50 nm)/Ge(40 nm)/Pd(20 nm)/Ti(0,5 nm) žíhané při teplotě 616°C. Kontaktní odpory na těchto strukturách dosahovaly hodnot 4,86.10-6Wcm2 a 5,15.10-6Wcm2.