F – Personální zabezpečení – přednášející, školitel nebo člen oborové rady
Název VŠ / součásti	VŠCHT Praha							FCHT
Název SP	Chemie a technologie materiálů, obor Materiálové inženýrství
Jméno a příjmení	Petr Macháč							tituly	Doc., Ing, CSc
Rok narození	1953				rozsah prac. vztahu na VŠ			40	do kdy	2008
Přednášející	x				školitel	x	člen oborové rady
Další současní zaměstnavatelé							typ prac. vztahu
-
Přednášky v předmětech				Základy elektroniky, Struktury mikro- a optoelektroniky
Údaje o oboru vzdělání na VŠ a o praxi od absolvování vysoké školy
VŠ vzdělání: FEL ČVUT Praha, obor Sdělovací technika, 1977 Zaměstnání: 1977-1978 - VÚSE Běchovice, Praha 1978-1984 – FEL ČVUT Praha Od 1984 – VŠCHT Praha
Přehled o publikační a další tvůrčí činnosti za posledních 5 let
Publikace v zahraničních odborných časopisech: Macháč P., Peřina V.: Role of reactive metal in Ge/Pd/GaAs contact structures. Microelectronic Engineering 65 (2003), 335-343, ISSN: 0167-9317 Zlámal J., Myslík V., Macháč P.: The influence of Ti Surface layer on Pt/(Ge or Sn)/Pd/Ti-GaAs Interface. Solid State Phenomena. V90-91 (2003), pp. 601-606, ISSN 1012-0394. Macháč P., Machovič V.: Raman spectroscopy of Ge/Pd/GaAs contacts. Microelectronic Eng. 71 (2004), 177-181, ISSN 0167-9317 Novotný P., Saidl P., Macháč P.: A magneto-optic imager for NDT applications. NDT&E International, 37 (2004), 645-649, ISSN 0963-8695. Macháč P., Ryc. L.: Metal resistor bolometer on GaAs substrate. Photonics, Device and Systemes III, V6180 (2005), 26-29, ISSN 0277-786X. Příspěvky na významných zahraničních konferencích: Macháč P., Barda B.: NiTi ohmic contacts to SiC. VI International Sci. Conf. Solid State Chemistry and Modern Micro- and Nanotechnologies. 17.-22.9.2006, Kislovodsk, Russia, Proceedings ISBN 5-9296-0157-7, str. 425-426. Novotný P., Macháč P., Kučera M., Nitsch K.: Evaluation of Austenic Materiáls by Magneto-Optical Minor Hysteresis Loops. Přednáška na The 11th International Workshop on Electromagnetic Nondestructive Evaluation (ENE’06), Iwate, Japan, 14.-16.6.2006. Conference Abstracts str. 40-41. Macháč P., Žilka M. and Výborný Z.: Pt/GaAs side wall Schottky diode. 11^th European Gallium Arsenide and other Compound Semiconductors Application Symposium (GAAS 2003), Munich 6.-7.10. 2003. Proceedings pp. 129-131, ISBN 1-58053-837-1. Macháč P., Barda B., Sajdl P.: Nickel ohmic contact on silicon carbide. The Sixth International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems (ASDAM’06), 16.-18.10.2006, Smolenice, Slovensko. Conference Proceedings IEEE Catalog Numer 06EX1383, ISBN 1-4244-0396-0. Library of Conference 2006925541, str 71-74. 14 dalších příspěvků na mezinárodních konferencích.
Působení v zahraničí
-
Obor habilitačního nebo jmenovacího řízení nebo udělení vědecké hodnosti		CSc. – obor Radioelektronika, 1982 Doc. – obor Mikroelektronika, 1991							řízení na VŠ
									FEL ČVUT Praha
									ohlasy publikací
Rok udělení (prof…)									mezinár.		tuzem.
Písemný souhlas přednáš., školitele, člena ob. rady s působ. v SP v daném rozsahu			Souhlasím s působením v daném rozsahu						9		1
								Datum	25.6.2007